CARACTERÍSTICAS • Lamina de cobre recubierta por un sustrato aislante

ESPECIFICACIONES TÉCNICAS • Voltaje de operación: 0 ~ 100 VCD o 0 ~ 255 VCA• Corriente de operación 0

probablemente hasta 5 km con antenas direccionales y ajustes de configuración

• Temperatura de funcionamiento: - 55 ~ 125 °C

es comúnmente utilizado en proyectos hechos en casa así como para proyectos mas profesionales

IRF540 Transistor MOSFET de Potencia Canal N TO-220 16a/250v CARACTERÍSTICAS • Lamina de cobreEl IRF540 es un transistor MOSFET de canal N diseado para aplicaciones de potencia en circuitos electrnicos. Este dispositivo, fabricado con tecnologa TrenchMOS, ofrece alta eficiencia y fiabilidad en operaciones de conmutacin y amplificacin. Gracias a su bajo Rds(on) y alta capacidad de manejo de corriente, es ideal para fuentes de alimentacin, inversores, y controladores de motores. ESPECIFICACIONES TCNICAS Encapsulado: TO 220 3 (orificio pasante)